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美国EOS检测器组件
美国EOS检测器组件
EOS于1991年在加利福尼亚成立，由电力电子领域的几个先驱者成立。EOS是一家具有交匙设计，制造，销售和支持运营的产品公司。该公司是电源制造商和出口商，并为其客户提供完整的VAM，ODM和支持和维修服务。EOS品牌的电源已经向**客户销售了超过4000万台。EOS POWER现在已成为许多**医疗，工业和质量意识客户的电源合作伙伴。
EOS检测器组件产品线由各种不同起始材料的光电二*管和光电导体组成，可从业内一个来源中进行广泛的选择。EOS在大多数探测器类型中提供几种标准尺寸，并为非标准要求提供定制设计服务。如果您的应用需要技术支持，请咨询工厂。
产品通常可以分为三个波长区域，再加上一个特殊类别，其中包括位置传感器，2色检测器和象限。
UV-VIS / NIR 包括InGaAs，前InGaAs，锗和硅光电二*管，其覆盖范围从0.2到2.6微米。
近红外 包括InAs和InSb光电二*管，以及覆盖1至5.5微米光谱范围的PbS，PbSe和HgCdTe光电导体。
LWIR 包括HgCdTe光电导体以及专用的热释电和热电堆检测器，用于覆盖1至40微米以上的光谱范围。
产品范围：紫外线-VIS / NIR200 nm-2.5微米,近红外-MWIR 1.0-5.5微米,LWIR2-40微米,象限探测器,近红外位置传感器,2色检测器
紫外线-VIS / NIR200 nm-2.5微米
此类别中的组件是硅，锗，InGaAs，InGaAs扩展型和光电二*管，其覆盖范围从0.2到2.6微米。这些检测器在室温下或与TE-Cooler一起运行，并以各种TO型包装提供。提供几种标准直径以及特殊设备，例如Si和InGaAs象限，2色检测器，多元素检测器和PSD。
近红外-MWIR 1.0-5.5微米
此类探测器包括InAs和InSb光电二*管以及覆盖1至5.5微米光谱范围的PbS，PbSe和HgCdTe光电导体。根据灵敏度要求，使用室温，TE冷却和低温封装。提供各种标准尺寸和定制尺寸。
LWIR2-40微米
EOS于1991年在加利福尼亚成立，由电力电子领域的几个先驱者成立。EOS是一家具有交匙设计，制造，销售和支持运营的产品公司。该公司是电源制造商和出口商，并为其客户提供完整的VAM，ODM和支持和维修服务。EOS品牌的电源已经向**客户销售了超过4000万台。EOS POWER现在已成为许多**医疗，工业和质量意识客户的电源合作伙伴。
EOS检测器组件产品线由各种不同起始材料的光电二*管和光电导体组成，可从业内一个来源中进行广泛的选择。EOS在大多数探测器类型中提供几种标准尺寸，并为非标准要求提供定制设计服务。如果您的应用需要技术支持，请咨询工厂。
产品通常可以分为三个波长区域，再加上一个特殊类别，其中包括位置传感器，2色检测器和象限。
UV-VIS / NIR 包括InGaAs，前InGaAs，锗和硅光电二*管，其覆盖范围从0.2到2.6微米。
近红外 包括InAs和InSb光电二*管，以及覆盖1至5.5微米光谱范围的PbS，PbSe和HgCdTe光电导体。
LWIR 包括HgCdTe光电导体以及专用的热释电和热电堆检测器，用于覆盖1至40微米以上的光谱范围。
产品范围：紫外线-VIS / NIR200 nm-2.5微米,近红外-MWIR 1.0-5.5微米,LWIR2-40微米,象限探测器,近红外位置传感器,2色检测器
紫外线-VIS / NIR200 nm-2.5微米
此类别中的组件是硅，锗，InGaAs，InGaAs扩展型和光电二*管，其覆盖范围从0.2到2.6微米。这些检测器在室温下或与TE-Cooler一起运行，并以各种TO型包装提供。提供几种标准直径以及特殊设备，例如Si和InGaAs象限，2色检测器，多元素检测器和PSD。
近红外-MWIR 1.0-5.5微米
此类探测器包括InAs和InSb光电二*管以及覆盖1至5.5微米光谱范围的PbS，PbSe和HgCdTe光电导体。根据灵敏度要求，使用室温，TE冷却和低温封装。提供各种标准尺寸和定制尺寸。
LWIR2-40微米
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